GD2400SGY120C3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD2400SGY120C3S - IGBT-Modul, Einfach, 3.353 kA, 1.7 V, 10.2 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 3.353
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 10.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.2
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 3.353
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30764.73 грн |
| 5+ | 30149.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD2400SGY120C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD2400SGY120C3S - IGBT-Modul, Einfach, 3.353 kA, 1.7 V, 10.2 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 3.353, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 10.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.2, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 3.353, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD2400SGY120C3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD2400SGY120C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; Urmax: 1200V Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.4kA Pulsed collector current: 4.8kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: single transistor Case: C3 130mm кількість в упаковці: 8 шт |
товар відсутній |
||
| GD2400SGY120C3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; Urmax: 1200V Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2.4kA Pulsed collector current: 4.8kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: single transistor Case: C3 130mm |
товар відсутній |