GD600HFX65C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD600HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 700A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.648kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.648kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5370.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD600HFX65C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 700A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 1.648kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.648kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 700A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD600HFX65C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD600HFX65C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||
| GD600HFX65C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |