Продукція > STARPOWER > GD600SGU120C2S
GD600SGU120C2S

GD600SGU120C2S STARPOWER


3123053.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 830
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 4.032
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.032
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 830
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9990.38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD600SGU120C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9, Dauer-Kollektorstrom: 830, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9, Verlustleistung Pd: 4.032, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.032, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Einfach, DC-Kollektorstrom: 830, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).

Інші пропозиції GD600SGU120C2S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GD600SGU120C2S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR GD600SGU120C2S IGBT modules
товар відсутній