Продукція > STARPOWER > GD75HFX170C1S
GD75HFX170C1S

GD75HFX170C1S STARPOWER


3665562.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3575.28 грн
24+ 3532.06 грн
48+ 3488.1 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD75HFX170C1S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 139A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 559W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 559W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 139A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції GD75HFX170C1S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GD75HFX170C1S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR GD75HFX170C1S IGBT modules
товар відсутній