GD80TLQ120F1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 110A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4877.08 грн |
| 5+ | 4633.41 грн |
| 10+ | 4292.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD80TLQ120F1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 110A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції GD80TLQ120F1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD80TLQ120F1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2 Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT Case: F1.2 Collector current: 80A Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||
| GD80TLQ120F1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2 Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT Case: F1.2 Collector current: 80A Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |