GL34AHE3/98 Vishay General Semiconductor
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.22 грн |
11+ | 27.95 грн |
100+ | 14.62 грн |
500+ | 13.55 грн |
1000+ | 9.48 грн |
2500+ | 8.01 грн |
10000+ | 7.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GL34AHE3/98 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.
Інші пропозиції GL34AHE3/98
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GL34AHE3/98 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товар відсутній |