GNP1150TCA-ZE2 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 427.31 грн |
| 50+ | 380.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GNP1150TCA-ZE2 ROHM
Description: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA, Supplier Device Package: DFN8080AK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GNP1150TCA-ZE2 за ціною від 269.58 грн до 596.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GNP1150TCA-ZE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA Supplier Device Package: DFN8080AK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V Vgs (Max): +6V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V |
на замовлення 3048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GNP1150TCA-ZE2 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET NCH 650V 11A ESD |
на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GNP1150TCA-ZE2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.7nC Bauform - Transistor: DFN8080AK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EcoGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GNP1150TCA-ZE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA Supplier Device Package: DFN8080AK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V Vgs (Max): +6V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V |
товар відсутній |