Продукція > SEMIQ > GP3D010A065B
GP3D010A065B

GP3D010A065B SemiQ

GP3D010A065B-1916820.pdf Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.3 грн
10+ 192.22 грн
120+ 145.17 грн
270+ 140.51 грн
510+ 136.52 грн
1020+ 117.87 грн
2520+ 110.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GP3D010A065B SemiQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V.

Інші пропозиції GP3D010A065B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GP3D010A065B GP3D010A065B Виробник : SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товар відсутній