GP3D020A170B SemiQ
Виробник: SemiQDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 912.7 грн |
| 10+ | 774.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D020A170B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 67A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GP3D020A170B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D020A170B | Виробник : SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |