GP3D030A065B SemiQ
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 456.83 грн |
| 10+ | 385.21 грн |
| 120+ | 279.03 грн |
| 270+ | 267.71 грн |
| 510+ | 245.73 грн |
| 1020+ | 221.09 грн |
| 2520+ | 211.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D030A065B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D030A065B за ціною від 374.62 грн до 544.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D030A065B | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|