Продукція > GAN SYSTEMS > GS-065-008-1-L-MR

GS-065-008-1-L-MR GaN Systems

Name: GS-065-008-1-L-MR
Brand: GaN Systems
SKU: 5214915-4
Price: 162.87 UAH
Availability: InStock

Виробник: GaN Systems
MOSFET 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled

на замовлення 1008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	368.76 грн
10+	304.76 грн
25+	249.83 грн
100+	214.63 грн
250+	202.9 грн
500+	190.48 грн
1000+	162.87 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GS-065-008-1-L-MR GaN Systems

Description: GS-065-008-1-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-008-1-L-MR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
GS-065-008-1-L-MR	Виробник : GaN Systems	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 8A 8-Pin PDFN EP Reel	товар відсутній
GS-065-008-1-L-MR	Виробник : Infineon Technologies Canada Inc.	Description: GS-065-008-1-L-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V	товар відсутній
GS-065-008-1-L-MR	Виробник : Infineon Technologies Canada Inc.	Description: GS-065-008-1-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V	товар відсутній