GS-065-011-1-L-MR GaN Systems Inc
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 198.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-011-1-L-MR GaN Systems Inc
Description: GS-065-011-1-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-011-1-L-MR за ціною від 190.99 грн до 398.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS-065-011-1-L-MR | Виробник : GaN Systems Inc |
 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GS-065-011-1-L-MR | Виробник : GaN Systems | MOSFET 650V, 11A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled |
на замовлення 3517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GS-065-011-1-L-MR | Виробник : GaN Systems |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
GS-065-011-1-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-1-L-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
GS-065-011-1-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-1-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товар відсутній |