GS-065-018-2-L-TR GaN Systems
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 707.83 грн |
| 10+ | 599.15 грн |
| 25+ | 471.73 грн |
| 100+ | 433.94 грн |
| 250+ | 408.3 грн |
| 500+ | 382.65 грн |
| 1000+ | 364.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-018-2-L-TR GaN Systems
Description: GS-065-018-2-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-018-2-L-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GS-065-018-2-L-TR | Виробник : GaN Systems | 650V, 18A, GaN E-HEMT, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled |
товар відсутній |
||
 |
GS-065-018-2-L-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-018-2-L-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V |
товар відсутній |