Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSF3407
GSF3407

GSF3407 Good-Ark Semiconductor

GSF3407.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.22 грн
18+ 15.93 грн
25+ 13.3 грн
100+ 7.9 грн
250+ 6.1 грн
500+ 5.2 грн
1000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSF3407 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V.

Інші пропозиції GSF3407

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GSF3407 GSF3407 Виробник : Good-Ark Semiconductor GSF3407.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
товар відсутній