GSFD06C20

GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor


GSFD06C20.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20.1W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-4, Part Status: Active.

Інші пропозиції GSFD06C20 за ціною від 20.81 грн до 54.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GSFD06C20 GSFD06C20 Виробник : Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.89 грн
10+ 46.45 грн
25+ 43.67 грн
100+ 33.45 грн
250+ 31.07 грн
500+ 26.44 грн
1000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 6