на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.25 грн |
| 15000+ | 3.92 грн |
| 30000+ | 3.53 грн |
| 50000+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT1003A GOFORD Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GT1003A за ціною від 3.74 грн до 4.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT1003A | Виробник : GOFORD Semiconductor | High Density Cell Design MOSFET |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| GT1003A | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |