GT100N12M

GT100N12M Goford Semiconductor


GOFORD-GT100N12M.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.05 грн
10+ 87.42 грн
100+ 69.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT100N12M Goford Semiconductor

N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263.

Інші пропозиції GT100N12M за ціною від 47.43 грн до 47.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT100N12M Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-GT100N12M.pdf N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT100N12M GT100N12M Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GT100N12M.pdf Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
товар відсутній