Продукція > TOSHIBA > GT15J341,S4X(S)
GT15J341,S4X(S)

GT15J341,S4X(S) Toshiba

20gt15j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 450
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT15J341,S4X(S) Toshiba

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 15A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 180ns, Turn-off time: 320ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції GT15J341,S4X(S) за ціною від 77.89 грн до 143.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT15J341,S4X(S) GT15J341,S4X(S) Виробник : Toshiba 20gt15j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+91.75 грн
Мінімальне замовлення: 128
GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S Виробник : TOSHIBA GT15J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.45 грн
10+ 82.06 грн
27+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S Виробник : TOSHIBA GT15J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.79 грн
3+ 123.93 грн
10+ 98.47 грн
27+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S Виробник : Toshiba 20gt15j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)