на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.82 грн |
| 10+ | 166.6 грн |
| 100+ | 138.2 грн |
| 250+ | 137.53 грн |
| 500+ | 132.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2101EIBZ Renesas / Intersil
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції HIP2101EIBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HIP2101EIBZ | Виробник : Intersil |
 PB-FREE 100V HALF BRIDGE DRIVER, 8LD EPSOIC HIP2кількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
HIP2101EIBZ Код товару: 59572 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||
 |
HIP2101EIBZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |