на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
965+ | 12.13 грн |
1080+ | 10.84 грн |
1121+ | 10.45 грн |
2000+ | 9.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: ESV, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.
Інші пропозиції HN2D01JE(TE85L,F) за ціною від 4.67 грн до 28.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HN2D01JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ESV Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN2D01JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V |
на замовлення 7016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN2D01JE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ESV Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
товар відсутній |