HN4B102J(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 24.74 грн |
500+ | 19.24 грн |
1000+ | 13.22 грн |
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Технічний опис HN4B102J(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.1W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції HN4B102J(TE85L,F) за ціною від 13.22 грн до 47.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R |
товар відсутній |
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HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 30V PWR TRANS |
товар відсутній |