HP8K22TB Rohm Semiconductor
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
378+ | 30.95 грн |
391+ | 29.86 грн |
397+ | 29.47 грн |
500+ | 27.93 грн |
1000+ | 25.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8K22TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції HP8K22TB за ціною від 31.63 грн до 94.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HP8K22TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HP8K22TB | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HP8K22TB | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HP8K22TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active |
на замовлення 9532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HP8K22TB | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET |
на замовлення 30379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|