Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KB6TB1
HP8KB6TB1

HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor

Description: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.

Інші пропозиції HP8KB6TB1 за ціною від 40.42 грн до 119.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.5 грн
10+ 94.06 грн
25+ 89.29 грн
100+ 68.84 грн
250+ 64.34 грн
500+ 56.86 грн
1000+ 44.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.65 грн
10+ 96.49 грн
100+ 65.66 грн
500+ 55.47 грн
1000+ 48.81 грн
2500+ 41.42 грн
5000+ 40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KB6TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KB6TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)