Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KC7TB1
HP8KC7TB1

HP8KC7TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KC7TB1 Rohm Semiconductor

Description: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.

Інші пропозиції HP8KC7TB1 за ціною від 72.59 грн до 192.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HP8KC7TB1 HP8KC7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.77 грн
10+ 151.85 грн
25+ 143.29 грн
100+ 114.56 грн
250+ 107.57 грн
500+ 94.13 грн
1000+ 76.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KC7TB1 HP8KC7TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFET 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 174-183 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.68 грн
10+ 157.76 грн
100+ 109.88 грн
250+ 101.22 грн
500+ 91.9 грн
1000+ 85.24 грн
2500+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KC7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key HP8KC7TB1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+144.85 грн
89+ 131.95 грн
109+ 107.15 грн
200+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 81
HP8KC7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KC7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key HP8KC7TB1
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)