HP8M51TB1 Rohm Semiconductor
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 141.66 грн |
| 86+ | 136.27 грн |
| 100+ | 131.64 грн |
| 250+ | 123.09 грн |
| 500+ | 110.88 грн |
| 1000+ | 103.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8M51TB1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.
Інші пропозиції HP8M51TB1 за ціною від 60.27 грн до 164.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HP8M51TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8M51TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET HP8M51TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application. |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HP8M51TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| HP8M51TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5A; Idm: 18A; 7W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 7W Gate charge: 15/26.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100/-100V Type of transistor: N/P-MOSFET Case: HSOP8 On-state resistance: 180/320mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
HP8M51TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| HP8M51TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5A; Idm: 18A; 7W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 7W Gate charge: 15/26.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100/-100V Type of transistor: N/P-MOSFET Case: HSOP8 On-state resistance: 180/320mΩ Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |