Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75309D3S
HUF75309D3S

HUF75309D3S Fairchild Semiconductor

FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 1025
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75309D3S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75309D3S за ціною від 19.24 грн до 29.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF75309D3S HUF75309D3S Виробник : Harris Corporation FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 1025
HUF75309D3S Виробник : ONSEMI FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1232+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 1232
HUF75309D3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3S HUF75309D3S Виробник : ON Semiconductor huf75309d3s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
HUF75309D3S HUF75309D3S Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS35102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товар відсутній