HUF75339P3 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 62.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75339P3 Harris Corporation
Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Інші пропозиції HUF75339P3 за ціною від 52.28 грн до 152.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75339P3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75339P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET |
на замовлення 375 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75339P3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HUF75339P3 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 12mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; HUF75339P3 THUF75339p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
HUF75339P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 200W Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HUF75339P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 130nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 200W Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A |
товар відсутній |