на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 250.44 грн |
10+ | 207.37 грн |
25+ | 175.04 грн |
100+ | 145.97 грн |
250+ | 144.65 грн |
500+ | 136.73 грн |
800+ | 109.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75545S3ST onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HUF75545S3ST
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
HUF75545S3ST |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK |
товар відсутній |
||
HUF75545S3ST | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK |
товар відсутній |