IAUC120N04S6N010ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 60.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC120N04S6N010ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IAUC120N04S6N010ATMA1 за ціною від 60.16 грн до 165.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IAUC120N04S6N010ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IAUC120N04S6N010ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V |
на замовлення 14899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IAUC120N04S6N010ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IAUC120N04S6N010ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IAUC120N04S6N010ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |