IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 226.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IAUS300N08S5N014TATMA1 за ціною від 238.85 грн до 581.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N014TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive AEC-Q101 Power Mosfet |
на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive AEC-Q101 Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive AEC-Q101 Power Mosfet |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP002952338 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HDSOP-16 On-state resistance: 2.1mΩ Pulsed drain current: 1186A Power dissipation: 300W Gate charge: 187nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 108A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N014TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 1186A; 300W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HDSOP-16 On-state resistance: 2.1mΩ Pulsed drain current: 1186A Power dissipation: 300W Gate charge: 187nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 108A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |