Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDB06S60C
IDB06S60C

IDB06S60C Infineon Technologies

IDB06S60C.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 152293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+188.98 грн
Мінімальне замовлення: 115
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDB06S60C Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V.

Інші пропозиції IDB06S60C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDB06S60C IDB06S60C Виробник : Infineon Technologies 8475infineon--ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304318a6cd680118a8889fae007a..pdf Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IDB06S60C IDB06S60C Виробник : Infineon Technologies IDB06S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
товар відсутній
IDB06S60C IDB06S60C Виробник : Infineon Technologies infineon_05032021_IDB06S60C-2321063.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode
товар відсутній