IDB45E60ATMA1

IDB45E60ATMA1 Infineon Technologies


3262idb45e60_rev2_2g.pdffolderiddb3a304412b407950112b438d6086bb5filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Switching 600V 71A 140ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDB45E60ATMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 71A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 45 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

Інші пропозиції IDB45E60ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDB45E60ATMA1 IDB45E60ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IDB45E60.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 71A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній