IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 103.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDL04G65C5XUMA2 за ціною від 64.33 грн до 201.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL04G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 3668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|