IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies
на замовлення 9386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.15 грн |
| 10+ | 206.01 грн |
| 100+ | 154.5 грн |
| 250+ | 151.17 грн |
| 500+ | 137.18 грн |
| 1000+ | 117.87 грн |
| 3000+ | 109.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDL08G65C5XUMA2 за ціною від 269.91 грн до 311.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDL08G65C5 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||
 |
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 8A 4-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
товар відсутній |