IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 167.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDL12G65C5XUMA2 за ціною від 134.47 грн до 392.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 6243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
на замовлення 15468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 248-257 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDL12G65C5 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |