IDW10G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW10G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDW10G120C5BFKSA1 за ціною від 214.67 грн до 426.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW10G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW10G120C5BFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
товар відсутній |