IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 623.11 грн |
| 10+ | 452.98 грн |
| 100+ | 357.84 грн |
| 240+ | 341.82 грн |
| 480+ | 302.43 грн |
| 1200+ | 289.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDW20G65C5BXKSA2 за ціною від 390.3 грн до 712.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW20G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDW20G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDW20G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IDW20G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 130W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Power dissipation: 130W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 46A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IDW20G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 130W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Power dissipation: 130W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 46A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2µA |
товар відсутній |