IDWD20G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 399.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD20G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1368pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 62A, Supplier Device Package: PG-TO247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDWD20G120C5XKSA1 за ціною від 370.55 грн до 1114.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1368pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 62A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon |
SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2 PGTO247-2 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDWD20G120C5XKSA1 THT Schottky diodes |
товар відсутній |