IGA03N120H2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8.2A; 29W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 8.2A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Mounting: THT
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 16.1ns
Turn-off time: 403ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8.2A; 29W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 8.2A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Mounting: THT
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 16.1ns
Turn-off time: 403ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.97 грн |
9+ | 90.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGA03N120H2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT 1200V 3A 29W TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns, Switching Energy: 290µJ, Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 8.6 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A, Power - Max: 29 W.
Інші пропозиції IGA03N120H2XKSA1 за ціною від 103.2 грн до 168.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGA03N120H2XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8.2A; 29W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 8.2A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9A Mounting: THT Gate charge: 8.6nC Kind of package: tube Turn-on time: 16.1ns Turn-off time: 403ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IGA03N120H2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3A 29000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
IGA03N120H2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 3A 29W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 8.6 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A Power - Max: 29 W |
товар відсутній |
||||||||||||
IGA03N120H2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |