IGC54T65R3QEX1SA1

IGC54T65R3QEX1SA1 Infineon Technologies


igc54t65r3qe_l7584e.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Wafer
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC54T65R3QEX1SA1 Infineon Technologies

Description: IGBT CHIP, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A.

Інші пропозиції IGC54T65R3QEX1SA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGC54T65R3QEX1SA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGC54T65R3QE_L7584E-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6ae660a31d73 Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
товар відсутній