IGD10N65T6ARMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 56.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGD10N65T6ARMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: 75W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 23A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A.
Інші пропозиції IGD10N65T6ARMA1 за ціною від 56.1 грн до 180.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGD10N65T6ARMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A |
на замовлення 8945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 75 W |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP004275478 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT6 Trench and Field-stop Technology |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 75 W |
товар відсутній |