Продукція > INFINEON > IGD10N65T6ARMA1
IGD10N65T6ARMA1

IGD10N65T6ARMA1 INFINEON


3180282.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
на замовлення 8945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGD10N65T6ARMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: 75W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 23A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A.

Інші пропозиції IGD10N65T6ARMA1 за ціною від 56.1 грн до 180.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Виробник : INFINEON 3180282.pdf Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.59 грн
10+ 79.19 грн
100+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGD10N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c359b640dde Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.4 грн
10+ 133.19 грн
100+ 106.01 грн
500+ 84.18 грн
1000+ 71.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGD10N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3361917.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.25 грн
10+ 147.8 грн
100+ 101.89 грн
250+ 93.9 грн
500+ 85.24 грн
1000+ 73.92 грн
3000+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD10N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igd10n65t6-datasheet-v02_03-en.pdf SP004275478
товар відсутній
IGD10N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igd10n65t6-datasheet-v02_03-en.pdf IGBT6 Trench and Field-stop Technology
товар відсутній
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGD10N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c359b640dde Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній