Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGP01N120H2
IGP01N120H2

IGP01N120H2 Infineon Technologies

INFNS16255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/370ns
Switching Energy: 140µJ
Test Condition: 800V, 1A, 241Ohm, 15V
Gate Charge: 8.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3.5 A
Power - Max: 28 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
507+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 507
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGP01N120H2 Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/370ns, Switching Energy: 140µJ, Test Condition: 800V, 1A, 241Ohm, 15V, Gate Charge: 8.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 3.5 A, Power - Max: 28 W.

Інші пропозиції IGP01N120H2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGP01N120H2 IGP01N120H2 Виробник : Infineon Technologies IGP_D01N120H2_Rev2_4G-77939.pdf IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)