IGP50N60T

IGP50N60T Infineon Technologies


INFN-S-A0001300252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IGP50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
111+177.98 грн
Мінімальне замовлення: 111
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGP50N60T Infineon Technologies

Description: IGP50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.

Інші пропозиції IGP50N60T за ціною від 131.86 грн до 297.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGP50N60T IGP50N60T Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGP50N60T_DS_v02_08_EN-1628036.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+297.56 грн
10+ 247.36 грн
25+ 202.44 грн
100+ 173.14 грн
250+ 171.81 грн
500+ 145.17 грн
1000+ 131.86 грн
Мінімальне замовлення: 2