IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.16mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 6840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.7 грн |
| 30+ | 319.97 грн |
| 120+ | 286.29 грн |
| 510+ | 237.06 грн |
| 1020+ | 213.35 грн |
| 2010+ | 199.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns, Switching Energy: 3.16mJ, Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 483 W.
Інші пропозиції IGW40N120H3FKSA1 за ціною від 379.7 грн до 677.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 483 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| IGW40N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |