IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns, Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 249 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 319.2 W.
Інші пропозиції IGW50N60TPXKSA1 за ціною від 89.46 грн до 261.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW50N60TPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGW50N60TPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGW50N60TPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGW50N60TPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGW50N60TPXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW50N60TPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 319.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGW50N60TPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |