IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 408.45 грн |
| 10+ | 336.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns, Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 166 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 119 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IGZ75N65H5XKSA1 за ціною від 207.77 грн до 442.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 119A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 197W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 166nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 415ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IGZ75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 197W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 166nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 415ns |
товар відсутній |