на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.32 грн |
| 10+ | 122.84 грн |
| 100+ | 84.79 грн |
| 250+ | 78.11 грн |
| 500+ | 70.77 грн |
| 1000+ | 61.09 грн |
| 2500+ | 58.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKA08N65H5 Infineon Technologies
Description: IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns, Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 31.2 W.
Інші пропозиції IKA08N65H5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKA08N65H5 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH ANPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 31.2 W |
товар відсутній |