Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKA08N65H5XKSA1
IKA08N65H5XKSA1

IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies

DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.66 грн
50+ 107.07 грн
100+ 88.1 грн
500+ 69.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns, Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 31.2 W.

Інші пропозиції IKA08N65H5XKSA1 за ціною від 90.62 грн до 167.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Виробник : INFINEON 1756009.pdf Description: INFINEON - IKA08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 31.2 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.76 грн
10+ 124.32 грн
100+ 90.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA08N65H5XKSA1 Виробник : Infineon DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 39735425225844816ds_ika08n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af95976745d19folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 10.8A 31200mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKA08N65H5_DS_v02_01_EN-3163781.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній