IKW30N65EL5XKSA1

IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw30n65el5-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 85A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns, Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.

Інші пропозиції IKW30N65EL5XKSA1 за ціною від 134.81 грн до 500.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW30N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd5d3c3acb Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.15 грн
30+ 249.8 грн
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW30N65EL5_DataSheet_v02_02_EN-3362094.pdf IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.04 грн
10+ 285.6 грн
25+ 235 грн
100+ 200.95 грн
240+ 156.22 грн
480+ 153.55 грн
1200+ 146.21 грн
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000225451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+356.49 грн
10+ 255.38 грн
100+ 163.27 грн
500+ 148.82 грн
1000+ 134.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+500.28 грн
28+ 423.7 грн
50+ 322.25 грн
200+ 291.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65el5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній