Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKW30N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351beb15f57f2 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.87 грн
30+ 210.46 грн
120+ 180.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW30N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns, Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IKW30N65ET7XKSA1 за ціною від 126.18 грн до 412.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW30N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361888.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+299.09 грн
10+ 247.98 грн
25+ 202.95 грн
100+ 173.58 грн
240+ 164.23 грн
480+ 134.86 грн
1200+ 126.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : INFINEON 3295914.pdf Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+321.29 грн
10+ 227.67 грн
100+ 154.28 грн
500+ 138.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ET7XKSA1 IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65et7-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+412.76 грн
32+ 368 грн
50+ 336.18 грн
100+ 294.44 грн
200+ 270.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW30N65ET7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikw30n65et7-datasheet-v01_00-en.pdf IKW30N65ET7
товар відсутній